CVD

За информацията в тази статия или раздел не са посочени източници. Въпросната информация може да е непълна, неточна или изцяло невярна. Имайте предвид, че това може да стане причина за изтриването на цялата статия или раздел.

CVD (на английски: Chemical Vapor Deposition) (Химичното газово отлагане) е технология за химическо отлагане на материали в паро-газова среда при висока температура. Използва се за отлагане на диелектрични тънки слоеве и поликристален силиций.

Приложение на диелектричните слоеве:

• Изолация между елементите
• Биполярни интегрални схеми
• Изолация между нивата на метализация
• Маска за локална дифузия (йонна имплантация)
• Пасивация (на полупроводниковата подложка) с цел защита на повърхността на приборите от замърсявания, влага и механични увреждания
• Изпълнява ролята на гейтов диелектрик в MOS приборите
• Si₃N₄ е бариера за алкалните примеси

Изисквания към отложените слоеве:

• Дебелината на слоя да е еднаква по цялата повърхност на пластината както и върху всички подложки от дадена партида
• Структурата и състава на слоевете да са контролируеми и възпроизводими
• Методът на нанасяне да е безопасен и да обезпечава възможност за автоматизация

Най-голямо приложение намират слоевете от силициев нитрид Si₃N₄ и силициев диоксид SiO₂.