Durchkontaktierung

Eine Durchkontaktierung (kurz DuKo, ugs. Durchsteiger, englisch via) ist eine vertikale elektrische Verbindung zwischen den Leiterbahnebenen einer Leiterplatte. Die Verbindung wird meist durch eine innen metallisierte Bohrung im Trägermaterial der Leiterplatte realisiert. Selten werden auch Niete und Stifte verwendet.

Durchkontaktierungen finden sich auch in integrierten Schaltkreisen (ICs). Vertikale elektrische Verbindungen zwischen zwei Metallisierungsebenen werden hier als Vias bezeichnet, während man bei den Verbindungen der untersten (ersten) Metallisierungsebene mit dem darunter liegenden Silizium (Diffusionsschicht oder Polyebene) von Kontaktlöchern (Kontakten) spricht.^[1] Eine weitere Form von IC-Vias sind Silizium-Durchkontaktierungen, die vertikale elektrische Verbindungen zwischen gestapelten Mikrochips bei 3D-integrierten ICs ermöglichen.^[2]

↑ K. H. Cordes, A. Waag, N. Heuck: Integrierte Schaltungen. Pearson, 2011, ISBN 978-3-86894-011-4, Kap. 4.6.3 Kontakte und Vias.
↑ J. Knechtel, O. Sinanoglu, I.M. Elfadel, J. Lienig, C.C.N. Sze: Large-Scale 3D Chips: Challenges and Solutions for Design Automation, Testing, and Trustworthy Integration. In: IPSJ Transactions on System LSI Design Methodology. 10. Jahrgang, 2017, S. 45–62, doi:10.2197/ipsjtsldm.10.45 (jst.go.jp). Vorlage:Cite journal: Der Parameter language wurde bei wahrscheinlich fremdsprachiger Quelle nicht angegeben.

[Cordes-1] K. H. Cordes, A. Waag, N. Heuck: Integrierte Schaltungen. Pearson, 2011, ISBN 978-3-86894-011-4, Kap. 4.6.3 Kontakte und Vias.

[2] J. Knechtel, O. Sinanoglu, I.M. Elfadel, J. Lienig, C.C.N. Sze: Large-Scale 3D Chips: Challenges and Solutions for Design Automation, Testing, and Trustworthy Integration. In: IPSJ Transactions on System LSI Design Methodology. 10. Jahrgang, 2017, S. 45–62, doi:10.2197/ipsjtsldm.10.45 (jst.go.jp). Vorlage:Cite journal: Der Parameter language wurde bei wahrscheinlich fremdsprachiger Quelle nicht angegeben.

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