EDRAM

eDRAM (англ. embedded DRAM — встраиваемая DRAM) — DRAM-память на основе конденсаторов, как правило встраиваемая в ту же самую микросхему или в ту же самую систему^{[англ.][1]}, что и основной ASIC или процессор, в отличие от памяти SRAM на основе транзисторов, обычно используемой для кэшей и от внешних модулей DRAM.

Встраивание предусматривает использование более широких шин и более высоких скоростей работы чем при использовании дискретных DRAM модулей. При использовании eDRAM вместо SRAM на чипах, за счет более высокой плотности потенциально может быть реализовано примерно в 3 раза большее количество памяти на той же площади. В силу иной технологии, необходимой для создания памяти DRAM, в производство КМОП-чипов с eDRAM добавляется несколько дополнительных шагов, что удорожает производство.

eDRAM, как и любая другая DRAM память, требует периодического обновления хранящихся данных, что усложняет её по сравнению с SRAM. Однако, контроллер обновлений eDRAM может быть интегрирован в неё, и тогда процессор работает с памятью так же как с SRAM, например такой как 1T-SRAM^[англ.].

eDRAM используется в процессорах корпорации IBM (начиная с POWER7^[2]) и во множестве игровых приставок, включая PlayStation 2 (4мб), PlayStation Portable, Nintendo GameCube, Wii, Wii U, Xbox 360 (10Мб), Xbox One и One S (32Мб), Zune HD, iPhone. А также в некоторых мобильных моделях процессоров компании Intel с архитектурой Haswell^[3] и десктопных Broadwell Intel Core 5-го поколения.

1. ↑ Intel’s Embedded DRAM: New Era of Cache Memory  (неопр.). Дата обращения: 24 июля 2021. Архивировано 24 июля 2021 года.
2. ↑ Hot Chips XXI Preview  (неопр.). Real World Technologies (12 августа 2009). Дата обращения: 23 июля 2021. Архивировано 27 февраля 2012 года.
3. ↑ Haswell GT3e Pictured, Coming to Desktops (R-SKU) & Notebooks  (неопр.). AnandTech (10 апреля 2013). Дата обращения: 24 июля 2021. Архивировано 5 ноября 2016 года.