Our website is made possible by displaying online advertisements to our visitors.
Please consider supporting us by disabling your ad blocker.

Responsive image

FinFET

Fig.1 Estructura d'un transistor FinFET

FinFET (acrònim de fin field-effect transistor) és un tipus de transistor d'efecte camp de tecnologia 3D (procés no planar) i substracte silici sobre aïllant (SOI), emprat en la fabricació dels actuals microprocessadors. Els transistors FinFET aconsegueixen menor superfície en el dau de silici, a més a més de major velocitat de commutació i menor consum de potència. El FinFET va ser concebut el 2001 a la universitat de Califòrnia, Berkeley, pels investigadors Chenming Hu, Tsu-Jae King-Liu i Jeffrey Bokor.[1][2][3][4]

  1. ↑ «What is Finfet?» (en anglès). https://www.computerhope.com.
  2. ↑ «FinFET Technology | FinFET Basics | Radio-Electronics.Com» (en anglès). http://www.radio-electronics.com.+[Consulta: 15 novembre 2017].
  3. ↑ «FinFET Guide - TechDesignForum» (en anglès). http://www.techdesignforums.com.+[Consulta: 15 novembre 2017].
  4. ↑ «FinFET Design, Manufacturability, and Reliability» (en anglès). https://www.synopsys.com.+[Consulta: 15 novembre 2017].

Previous Page Next Page






Полеви транзистор с ребровиден канал Bulgarian ফিন ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর Bengali/Bangla Fin field-effect transistor English FinFET Spanish فین‌فت FA FinFET French FinFET ID FinFET Japanese 핀펫 Korean FinFET Ukrainian

Responsive image

Responsive image