Our website is made possible by displaying online advertisements to our visitors.
Please consider supporting us by disabling your ad blocker.
Galliumnitridi
| Galliumnitridi | |
|---|---|
 |
|
| Tunnisteet | |
| IUPAC-nimi | Azanylidynegallane (englanniksi) |
| Muut nimet | Gallium(III)nitridi |
| CAS-numero | |
| PubChem CID | |
| SMILES | [Ga]#N |
| Ominaisuudet | |
| Molekyylikaava | GaN |
| Moolimassa | 83,73 g/mol |
| Ulkomuoto | kiinteä aine, (vaaleanharmaa jauhe) |
| Sulamispiste | > 2 500 °C (> 2 773 K) |
| Tiheys | 6,1–6,15 g/cm3 |
| Liukoisuus veteen | Reagoi veden kanssa muodostaen ammoniakkia |
 |
|
Galliumnitridi (GaN, gallium nitride) on galliummetallin ja epämetalleihin kuuluvan typen muodostama epäorgaaninen yhdiste, jossa gallium jakaa elektropositiivisena (Linus Paulingin elektronegatiivisuusarvoilla 1,6) elektroninsa elektronegatiivisemmalle typelle (elektronegatiivisuusarvo 3,0).
Elektronegatiivisuusarvojen keskisuuren eroavuuden (0,4–2,0) vuoksi galliumin ja typen välille muodostuu poolinen kovalenttinen kolmoissidos. Alkuaineparista johtuen yhdisteellä esiintyy puolijohteen ominaisuuksia. Galliumnitridin kiderakenne perustuu heksagonaaliseen sinkkivälkkeen kuutiorakenteen mukaisesti.
Galliumnitridi on haitallista ihmiselle ja ympäristölle, koska vedessä ja kosteissa olosuhteissa siitä muodostuu ammoniakkia ja galliumin oksideja. Lisäksi sen valmistuksessa käytettävät organometallit ovat haitallisia kemikaaleja, jotka muodostavat helposti joko hapen oksideja tai radikaaliyhdisteitä.
Previous Page Next Page
