JFET

JFET, příp. JUGFET (anglicky junction gate field-effect transistor, česky polem řízený tranzistor s přechodovým hradlem), je nejjednodušším typem polem řízeného tranzistoru. Jedná se o polovodičovou součástku se třemi elektrodami označovanými G (anglicky Gate, česky hradlo nebo brána), S (anglicky Source, česky emitor nebo zdroj), a D (anglicky Drain, česky kolektor nebo odtok), kterou lze používat jako elektronicky řízený spínač, zesilovač nebo napětím řízený rezistor.

Podobně jako u bipolárních tranzistorů existují dva druhy JFET lišící se typem polovodiče: JFET s kanálem typu N (N-JFET) a s kanálem typu P (P-JFET). Bipolární tranzistory jsou řízené proudem bází, a pokud bází neteče žádný proud, jsou zavřené. Naproti tomu JFET jsou řízené napětím na elektrodě G, a není-li mezi elektrodami G a S žádný rozdíl potenciálů, je JFET otevřený, takže polovodičovým kanálem mezi elektrodami S a D může téct elektrický náboj. Přivedením předpětí vhodné polarity na elektrodu G dochází k přivírání kanálu – JFET bude klást průtoku proudu určitý odpor, takže proud kanálem mezi elektrodami S a D bude menší; při dosažení závěrného napětí poklesne proud protékající kanálem na nulu. Pro řízení vodivosti JFET tedy přivádíme na elektrodu G napětí v závěrném směru a říkáme, že JFET pracuje v režimu ochuzení.

U JFET s kanálem typu N dochází k omezování proudu mezi elektrodami S a D, pokud je napětí na elektrodě G menší než napětí na elektrodě S (u P-JFET naopak pokud je napětí na elektrodě G větší než napětí na elektrodě S).

JFET má velkou vstupní impedanci (řádu až 10¹⁰ ohmů), což znamená, že obvody připojené k elektrodě G ovlivňuje JFET zcela zanedbatelně.