Back ذاكرة تغيير الطور Arabic Phase-change Random Access Memory German Phase-change memory English PRAM Spanish Faasimuutmälu ET Faasimuutosmuisti Finnish Mémoire à changement de phase French Memoria a cambiamento di fase Italian 相変化メモリ Japanese PRAM Korean

PRAM

Diagrama zonal de la memòria PCM.
Una secció transversal de dues cel·les de memòria PRAM. Una cèl·lula es troba en estat cristal·lí de baixa resistència, l'altra en estat amorf d'alta resistència.

La memòria de canvi de fase (també coneguda com PCM, PCME, PRAM, PCRAM, OUM (memòria unificada ovònica) i C-RAM o CRAM (RAM de calcogenur)) és un tipus de memòria no volàtil d'accés aleatori. Els PRAM exploten el comportament únic del vidre de calcogenur. En PCM, la calor produïda pel pas d'un corrent elèctric a través d'un element d'escalfament generalment fet de nitrur de titani s'utilitza per escalfar i apagar ràpidament el vidre, fent-lo amorf, o per mantenir-lo en el seu rang de temperatura de cristal·lització durant algun temps, de manera que canviant-lo a un estat cristal·lí.[1] El PCM també té la capacitat d'aconseguir una sèrie d'estats intermediaris diferents, tenint així la capacitat de contenir diversos bits en una sola cel·la,[2] però les dificultats per programar les cèl·lules d'aquesta manera ha impedit que aquestes capacitats s'implementin en altres tecnologies. sobretot la memòria flash) amb la mateixa capacitat.

La investigació recent sobre PCM s'ha dirigit a intentar trobar alternatives materials viables al material de canvi de fase Ge₂Sb₂Te5 (GST), amb un èxit mixt. Altres investigacions s'han centrat en el desenvolupament d'un superreixat GeTe-Sb₂Te₃ per aconseguir canvis de fase no tèrmics canviant l'estat de coordinació dels àtoms de germani amb un pols làser. Aquesta nova memòria interfacial de canvi de fase (IPCM) ha tingut molts èxits i continua sent el lloc de molta investigació activa.[3] Leon Chua ha argumentat que tots els dispositius de memòria no volàtil de dos terminals, inclòs el PCM, s'han de considerar memristors. Stan Williams d'HP Labs també ha argumentat que PCM s'ha de considerar un memristor. No obstant això, aquesta terminologia s'ha posat en dubte i la possible aplicabilitat de la teoria del memristor a qualsevol dispositiu físicament realitzable està oberta a dubte.[4]

  1. ↑ Le Gallo, Manuel; Sebastian, Abu «An overview of phase-change memory device physics» (en anglès). Journal of Physics D: Applied Physics, 53, 21, 30-03-2020, pàg. 213002. Bibcode: 2020JPhD...53u3002L. DOI: 10.1088/1361-6463/ab7794. ISSN: 0022-3727 [Consulta: 2 maig 2023].
  2. ↑ Burr, Geoffrey W.; BrightSky, Matthew J.; Sebastian, Abu; Cheng, Huai-Yu; Wu, Jau-Yi «Recent Progress in Phase-Change Memory Technology». IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems, 6, 2, 6-2016, pàg. 146–162. Bibcode: 2016IJEST...6..146B. DOI: 10.1109/JETCAS.2016.2547718. ISSN: 2156-3357.
  3. ↑ Simpson, R.E.; P. Fons; A. V. Kolobov; T. Fukaya; M. Krbal; 4 «Interfacial phase-change memory.». Nature Nanotechnology, 6, 8, 7-2011, pàg. 501–5. Bibcode: 2011NatNa...6..501S. DOI: 10.1038/nnano.2011.96. PMID: 21725305.
  4. ↑ Di Ventra, Massimiliano; Pershin, Yuriy V. «On the physical properties of memristive, memcapacitive, and meminductive systems». Nanotechnology, 24, 25, 28-02-2013, pàg. 255201. arXiv: 1302.7063. Bibcode: 2013Nanot..24y5201D. DOI: 10.1088/0957-4484/24/25/255201. PMID: 23708238.

PRAM

Dodaje.pl - Ogłoszenia lokalne