Silicio-germanio

El SiGe o silicio-germanio, es una aleación con cualquier proporción molar de silicio y germanio, es decir, con una fórmula molecular de la forma Si_1-xGe_x. Se utiliza habitualmente como material semiconductor en circuitos integrados (CI) para transistores bipolares de heterounión o como capa inductora de tensión para transistores CMOS. IBM introdujo esta tecnología en la fabricación general en 1989.^[1]​ Esta tecnología relativamente nueva ofrece oportunidades en el diseño y la fabricación de circuitos integrados de señal mixta y circuitos analógicos. El SiGe también se utiliza como material termoeléctrico para aplicaciones de alta temperatura (>700 K).

1. ↑ Ouellette, Jennifer (June/July 2002). "Silicon–Germanium Gives Semiconductors the Edge". Archivado el 17 de mayo de 2008 en Wayback Machine., The Industrial Physicist.