Metal-halvleder-overgang

Indenfor faststoffysik er en metal-halvleder-overgang (ms-overgang; ms for eng. metal-semiconductor) en type af overgang hvor et metal kommer i tæt kontakt med et halvledermateriale. En metal–halvleder-overgang er den ældste praktiske halvlederkomponent. ms-overgange kan enten være ensrettende eller ikke-ensrettende.

Den ensrettende metal–halvleder-overgang danner en Schottky-barriere - og komponenten med en sådan Schottky-barriere kaldes en Schottky-diode. En ikke-ensrettende metal–halvleder-overgang opfører sig typisk som en ohmsk kontakt.^[1] (Til sammenligning kaldes en ensrettende halvleder–halvleder-overgang for en pn-overgang.)

Metal-halvleder-overgang er kritiske til funktionen af alle halvlederenheder:

• Mange gange er en ohmsk kontakt ønsket, så elektrisk ladning let kan ledes mellem den, via en elektrode, fra fx det aktive område i en transistor (fx emitter, basis og kollektor elektroderne) og det eksterne kredsløb.
• Nogle gange er Schottky-barriere ønskede - som i Schottky-dioder, Schottky-transistorer - og metal-halvleder-felteffekttransistorer.

1. ^ Semiconductor Devices: Modelling and Technology, Nandita Dasgupta, Amitava Dasgupta.(2004) ISBN 81-203-2398-X.