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Nanoelektronik

Doppelgate von einem FinFET.

Als Nanoelektronik werden integrierte Schaltkreise bezeichnet, deren Strukturbreiten (kleinste, über Strukturierungsverfahren wie Lithographie realisierbare Abmessung bei integrierten Schaltkreisen) unter 100 nm liegen.[1] In diesem Bereich müssen physikalische Effekte beachtet werden, die zuvor unbekannt oder vernachlässigbar waren. Dies führt zu neuen Formen der Bauelemente und ganz neuen Funktionsprinzipien. Allerdings ist dies nur eine grobe Einordnung und der Begriff der Nanoelektronik unterliegt keiner strengen Definition oder Norm, da der Übergang zwischen Mikroelektronik und Nanoelektronik fließend verläuft oder es wird nicht unterschieden, d. h., alles unter dem Begriff Mikroelektronik behandelt.

  1. Basierend auf der Definition von „National Nanotechnology Initiative“ (NNI, USA) und der Europäischen Kommission, vgl. Peter Russer, Paolo Lugli, Marc-Denis Weitze: Nanoelektronik: Kleiner – schneller – besser. Springer-Verlag, 2014, ISBN 978-3-642-35791-6, S. 22 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).

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