Antimoniure de gallium | |||
__ Ga3+ __ Sb3- Maille cristalline de l'antimoniure de gallium |
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Identification | |||
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No CAS | |||
No ECHA | 100.031.859 | ||
No CE | 235-058-8 | ||
PubChem | 6335277 | ||
Propriétés chimiques | |||
Formule | GaSb [Isomères] |
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Masse molaire[1] | 191,483 ± 0,002 g/mol Ga 36,41 %, Sb 63,59 %, |
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Propriétés physiques | |||
T° fusion | 712 °C | ||
Masse volumique | 5,61 g·cm-3[2] | ||
Conductivité thermique | 0,32 W·cm-1·K-1 | ||
Propriétés électroniques | |||
Largeur de bande interdite | 0,726 eV à 300 K[3] | ||
Mobilité électronique | 3 000 cm2·V-1·s-1[4] | ||
Mobilité des trous | 1 000 cm2·V-1·s-1[4] | ||
Propriétés optiques | |||
Indice de réfraction | 3,8 | ||
Précautions | |||
SGH[5] | |||
H302, H332, H411 et P273 |
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Transport[5] | |||
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Composés apparentés | |||
Autres cations | Antimoniure de bore Antimoniure d'aluminium Antimoniure d'indium |
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Autres anions | Nitrure de gallium Phosphure de gallium Arséniure de gallium |
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Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |||
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L’antimoniure de gallium est un composé chimique de formule brute GaSb. Il s'agit d'un semiconducteur III-V diamagnétique[6] dont le paramètre de maille vaut 609,593 pm[2] et la largeur de bande interdite environ 0,726 eV, ce qui en fait un matériau privilégié pour la réalisation de photodétecteurs infrarouges, de diodes électroluminescentes infrarouges, voire de cellules thermophotovoltaïques.