CMOS

CMOS, també conegut com a Metall Òxid Semiconductor Complementari (de l'anglès: Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS) és una tecnologia per a la construcció de circuits integrats. La tecnologia CMOS es fa servir en microprocessadors, microcontroladors, SRAM i en circuits de lògica digital, i també en circuits analògics com sensors d'imatge, circuits de conversió i transceptors integrats per a diferents tipus de comunicació. La tecnologia CMOS va ser patentada per Frank Wanlass el 1967 (US patent 3,356,858).

La tecnologia CMOS també és anomenada complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor (o COS-MOS^[1])

Les dues característiques més importants de la tecnologia CMOS són l'alta immunitat al soroll i el baix consum energètic en repòs. Aquesta última característica es deu a la utilització conjunta de transistors PMOS i NMOS de tal manera que només hi ha consum energètic quan hi ha un canvi de sortida i, en repòs, als corrents paràsits. D'aquesta manera, els dispositius construïts amb tecnologia CMOS tenen un baix escalfament, no com altres tecnologies digitals com la tecnologia TTL (transistor-transistor lògic) o lògica NMOS, que utilitzen dispositius amb lògica de canal n.

La tecnologia CMOS permet una gran miniaturització, de manera que és possible la integració d'una alta densitat de funcions lògiques en un sol integrat. Aquest va ser el motiu principal per qual la tecnologia CMOS va convertir-se en la dècada dels anys vuitanta la tecnologia més utilitzada per implementar circuits integrats a molt gran escala.

La frase «Metall-Òxid-Semiconductor» fa referència a l'estructura física amb la qual certs transistors d'efecte de camps són construïts. Aquests transistors tenen una porta de metall situada a sobre d'un aïllant d'òxid, que es troba a sobre d'un material semiconductor. Al principi es feia servir l'alumini com a metall però va ser substituït pel silici policristal·lí (que técnicament es un semiconductor i no pas un metall).