Una memoria no volátil es reprogramable cuando su contenido se puede variar después de ser programada. El primer dispositivo de memoria no volátil fue propuesto por Kahng y Sze en 1967.
Estos dispositivos se basan en la modificación de la carga eléctrica atrapada en la puerta de un transistor mos. Existen varias estructuras para conseguir esto. Las 3 principales se detallan a continuación.
