Galliumarseniid (GaAs) on pooljuhtmaterjal, mis koosneb võrdsest kogusest galliumist ja arseenist. Ta kuulub III-V pooljuhtide rühma. Galliumarseniid on monokristallina sfaleriidi kristallstruktuuriga. Ühikraku pikkus on 0,565325 nm. Toatemperatuuril on tihedus 5,32 g/cm³.[1]
<ref>
-silt. Viide nimega Enc
on ilma tekstita.