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In informatica ed elettronica una EPROM (acronimo dell'inglese Erasable Programmable Read Only Memory, lett. "memoria di sola lettura programmabile e cancellabile") è un tipo di memoria informatica di sola lettura cancellabile tramite raggi ultravioletti. Si tratta di un'evoluzione della PROM che, una volta programmata, non può più essere in generale modificata. La EPROM invece può essere totalmente cancellata, per un numero limitato ma consistente di volte, e riprogrammata a piacimento.
L'invenzione, avvenuta nel 1971, è dovuta ad un ingegnere israeliano, Dov Frohman, fuoriuscito dalla Fairchild Semiconductor per unirsi a Moore, Noyce e Grove, fondatori della società Intel, che a loro volta erano usciti dalla Fairchild l'anno prima.
Tali memorie si basano sul transistor ad effetto di campo FAMOS (Floating-gate Avalanche Injection MOS), un tipo di Floating Gate MOSFET a canale p programmabile mediante breakdown a valanga.