Стиль этой статьи неэнциклопедичен или нарушает нормы литературного русского языка. |
Сегнетоэлектрическая оперативная память (Ferroelectric RAM, FeRAM или FRAM[1]) — оперативная память, по своему устройству схожая с DRAM, использующая слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя для обеспечения энергонезависимости.