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Galliumnitrid
| Kristallstruktur | ||||||||||||||||
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| _ Ga3+ _ N3− | ||||||||||||||||
| Allgemeines | ||||||||||||||||
| Name | Galliumnitrid | |||||||||||||||
| Verhältnisformel | GaN | |||||||||||||||
| Kurzbeschreibung |
gelber, geruchloser Feststoff[1] | |||||||||||||||
| Externe Identifikatoren/Datenbanken | ||||||||||||||||
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| Eigenschaften | ||||||||||||||||
| Molare Masse | 83,72 g·mol−1 | |||||||||||||||
| Aggregatzustand |
fest | |||||||||||||||
| Dichte |
6,1 g·cm−3[1] | |||||||||||||||
| Löslichkeit |
nahezu unlöslich in Wasser[1] | |||||||||||||||
| Sicherheitshinweise | ||||||||||||||||
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| Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa). | ||||||||||||||||
Galliumnitrid (GaN) ist ein aus Gallium und Stickstoff bestehender III-V-Halbleiter mit großem Bandabstand (wide bandgap), der in der Optoelektronik insbesondere für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und als Legierungsbestandteil bei High-electron-mobility-Transistoren (HEMT), einer Bauform eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (JFET), Verwendung findet. Darüber hinaus ist das Material für verschiedene Sensorikanwendungen geeignet.
- ↑ a b c Datenblatt Galliumnitrid bei Alfa Aesar, abgerufen am 29. Januar 2010 (Seite nicht mehr abrufbar).
- ↑ a b Datenblatt Gallium nitride bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 2. April 2011 (PDF).
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