Our website is made possible by displaying online advertisements to our visitors.
Please consider supporting us by disabling your ad blocker.

Responsive image


Silicium-germanium

Silicium-germanium
Identification
Nom UICPA Silicium-germanium
Propriétés chimiques
Formule GexSi1-x
Cristallographie
Structure type Blende

Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Les alliages silicium-germanium forment une famille de composés de formule GexSi1-x, utilisés en tant que semi-conducteurs dans des transistors.

Ces alliages possèdent également de bonnes caractéristiques thermoélectriques aux hautes températures (au-dessus de 1 000 K) et sont notamment utilisés pour la génération d’électricité dans le domaine spatial[1],[2]. Ce sont par exemple des alliages de ce type qui sont utilisés pour l'alimentation en électricité (en) des sondes Voyager.

  1. (en) B. Abeles, D. S. Beers, G. D. Cody et J. P. Dismukes, « Thermal conductivity of Ge-Si alloys at high temperatures », Physical Review, vol. 125, no 1,‎ , p. 44-46.
  2. (en) O. Yamashita et N. Sadatomi, « Thermoelectric properties of Si1-xGex (x<0.10) with alloy and dopant segregations », Journal of Applied Physics, vol. 88, no 1,‎ , p. 245-252.

Previous Page Next Page